태양광발전용 N형과 P형 단결정 실리콘 웨이퍼의 주요 차이점
태양광 발전용 N형과 P형 단결정 실리콘 웨이퍼의 주요 차이점
단결정 실리콘 웨이퍼는 전도성이 약한 준금속의 물리적 특성을 갖고 있으며, 온도가 증가함에 따라 전도성이 증가합니다. 그들은 또한 중요한 반도체 특성을 가지고 있습니다. 초순수 단결정 실리콘 웨이퍼에 소량의 붕소를 도핑하면 전도성을 높여 P형 실리콘 반도체를 만들 수 있다. 마찬가지로, 소량의 인이나 비소를 도핑하면 전도성을 높여 N형 실리콘 반도체를 형성할 수도 있습니다. 그렇다면 P형 실리콘 웨이퍼와 N형 실리콘 웨이퍼의 차이점은 무엇일까요?
P형과 N형 단결정 실리콘 웨이퍼의 주요 차이점은 다음과 같습니다.
도펀트(Dopant): 단결정 실리콘에 인을 도핑하면 N형이 되고, 붕소를 도핑하면 P형이 된다.
전도도 : N형은 전자 전도성, P형은 정공 전도성입니다.
성능: N형에 인이 더 많이 도핑될수록 자유 전자가 많아지고 전도성이 강해지고 저항률이 낮아집니다. P형에 붕소를 많이 도핑할수록 실리콘을 대체하여 정공이 더 많이 생성되고 전도성이 강해지고 저항률이 낮아집니다.
현재 P형 실리콘 웨이퍼는 태양광 산업의 주류 제품이다. P형 실리콘 웨이퍼는 제조가 간단하고 비용이 저렴합니다. N형 실리콘 웨이퍼는 일반적으로 소수 캐리어 수명이 길고 태양전지의 효율을 높일 수 있지만 공정이 더 복잡합니다. N형 실리콘 웨이퍼에는 실리콘과의 용해도가 낮은 인이 도핑되어 있습니다. 막대를 뽑는 동안 인이 고르게 분포되지 않습니다. P형 실리콘 웨이퍼에는 실리콘과 분리 계수가 유사한 붕소가 도핑되어 있어 분산 균일성을 제어하기 쉽습니다.